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点击返回 当前位置:首页 > 中图法 【 TN3 半导体技术】 分类索引
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- 功率半导体器件原理及设计
- 王彩琳主编/2025-12-1/机械工业出版社
本书围绕功率半导体器件的基本结构与原理,从培养高层次专业技术人才、不断提高器件设计水平的目标出发,系统地介绍了各种功率半导体器件的结构类型、制作工艺、工作原理、静动态特性及设计方法。内容包括功率二极管(功率PIN二极管、功率SBD、MPS)、功率晶体管(功率双极型晶体管、功率MOSFET、IGBT)、普通晶闸管及其派生器件(GTO、IGCT、MCT),并简单地介绍了功率半导体器件基础以及功率集成技术。
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定价:¥69 ISBN:9787111793519
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- 半导体工艺和器件网页仿真软件 Cogenda WebTCAD 实用教程
- 王刚/2025-11-1/电子工业出版社
本书以半导体工艺和器件的仿真为主线,按照由简入繁、由低及高的原则循序深入,从仿真的数理基础及对TCAD/WebTCAD的认识出发、以半导体工艺基础及器件基础为知识储备,引出对基于WebTCAD 的二维工艺仿真及二维器件仿真的详细介绍,并在此基础上介绍WebTCAD的实例库及具体应用,从而达到能熟练使用WebTCAD来进行半导体工艺和器件仿真的目的。本书主要内容包括仿真基础、仿真原理、TCAD/WebTCAD介绍、半导体工艺基础、半导体器件基础、基于WebTCAD 的二维工艺仿真、基于WebTCA
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定价:¥69 ISBN:9787121515095
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- 大功率LED封装技术及应用
- 刘胜/2025-10-1/电子工业出版社
随着照明需求的日益上升,LED产业链整体发展迅速,LED相关的应用行业也呈现蓬勃发展的趋势。在现代照明领域,大功率LED的发展至关重要,但因封装结构和制造工艺上的复杂性,制约了大功率LED发光效率和使用寿命的提高,因此大功率LED封装技术成为当下研究探索的热点。本书全面、系统地介绍了大功率LED封装技术的基本原理及其应用。全书共8章,主要内容包括引言、大功率LED封装基础和发展趋势、大功率LED封装的光学设计、大功率LED封装模块的热管理、大功率LED封装荧光粉涂敷工艺、大功率LED封装的可靠性
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定价:¥168 ISBN:9787121515224
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- 现代半导体光电子器件
- 胡辉勇等编著/2025-9-1/高等教育出版社
本书是集成电路新兴领域“十四五”高等教育教材。本书共分为八章,主要内容有:半导体光电子器件物理基础、半导体发光二极管(LED)、半导体二极管激光器、半导体电光调制器、半导体光电探测器、新型二极管光电探测器、半导体图像传感器、半导体太阳能电池。本书特点为:从基本概念入手、有浅入深;内容涵盖了目前较为常见几种重要的半导体光电子器件;以图的形式说明基本概念、基本过程。本书可作为高等学校集成电路设计与集成系统、微电子科学与工程、光电信息科学与工程等有关专业的本科生教材,也可作为在校研究生以及从
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定价:¥32.9 ISBN:9787040640069
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- 现代电子装联技术
- 宋朝晖 李君 主编;常州市高等职业教育园区管理委员会 快克智能装备股份有限公司/2025-8-1/高等教育出版社
本书是围绕电子装联企业的岗位需求,以电子装联生产工艺顺序为主线设计典型工作任务,并结合电子信息制造业最新发展成果而编写的理实一体化新形态教材。全书共包含装联准备、手工焊接与返修、表面贴装元器件自动装联、通孔元器件自动装联、基板装联、先进装联技术六个模块。
本书配套提供丰富的数字化教学资源,包括教学课件、微课、操作视频、图片等,并在书中相应位置放置了二维码资源标记,读者可以通过手机等移动终端扫码学习。教师如需本书授课用教学课件等配套资源,请登录高等教育出版社产品信息检索系统(https://xua
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定价:¥49.8 ISBN:9787040644968
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- 薄膜晶体管材料与技术(兰林锋)
- 兰林锋、吴为敬 编/2025-4-1/化学工业出版社
《薄膜晶体管材料与技术》是战略性新兴领域“十四五”高等教育教材体系——“先进功能材料与技术”系列教材之一。本书归纳薄膜晶体管(TFT)材料、器件及制备技术,总结和梳理TFT相关的基础理论知识,包括材料物理与化学、器件物理、工艺原理以及实际应用设计原理,进一步提出新见解,为TFT技术的发展提供理论指导和方向参考。本书以TFT半导体材料作为主线,无机和有机材料相结合、材料与器件相结合、理论和实际应用相结合、经典理论与最新前沿理论相结合,涵盖了TFT的相关理论、研究方向和最新进展。 本书适合作为
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定价:¥49 ISBN:9787122464958
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- 半导体器件基础
- (美) Robert F. Pierret (罗伯特 · F. 皮埃雷)/2025-3-1/电子工业出版社
本书是一本微电子技术方面的入门书籍,全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章,首先介绍了半导体基础,讲解了半导体物理方面的相关知识以及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管(BJT)和其他结型器件的基本物理特性,并给出了相关特性的定性与定量分析。最后,作者讨论了场效应器件,除了讲解基础知识之外,还分析了小尺寸器件相关的物理问题,并介绍了一些新型场效应器件。
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定价:¥139 ISBN:9787121499685
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- 半导体器件建模与测试实验教程
- 杜江锋,石艳玲,朱能勇编著/2025-1-1/电子工业出版社
本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上,全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应;介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计;给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程;介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel,深入介绍了XModel的基本功能和界面;介绍了MOSFET器件电学特性测试平台、测试模式和测试流程;分别介绍了MOSFET器件电学特性如C-V、转移特性和输出特性的测量方法;深入介绍了MOSFET模型参数提取的实
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定价:¥58 ISBN:9787121493713
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- 光子储备池计算:光学循环神经网络
- (德国)Daniel Brunner(丹尼尔·布鲁纳),(西班牙)Miguel C. Soriano(米格尔·科尔内利斯·索里亚诺),(比利时)Guy Van der Sande(盖伊·范德桑德)/2025-1-1/电子工业出版社
第一章介绍了光子计算机发展的历史以及神经网络的概念。第二章重点介绍了物理储层计算的原理,以及一些与光子计算相关的重要概念——品质因数、拓扑网络、线性和非线性记忆容量。第三章介绍了储层集成的最新技术,主要集中在被动架构的实现,以及如何通过光电探测器实现非线性变换的原理。第四章介绍了大规模光子储层的潜力,重点讨论了几种可以产生复杂网络耦合的光学配置。第五章概况介绍了基于延迟系统的储层计算。第六章详细阐述了池田延迟(Ikeda delay dynamics)动力学与光子储存计算机控制和开发的相关性。第
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定价:¥79 ISBN:9787121497735
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