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半导体器件物理

半导体器件物理

定  价:99 元

丛书名:

抱歉,高等教育出版社不参与样书赠送活动!

  • 作者:郝跃主编;胡辉勇等副主编
  • 出版时间:2025/12/1
  • ISBN:9787040657821
  • 出 版 社:高等教育出版社
  • 中图法分类:TN303;O47 
  • 页码:556页
  • 纸张:
  • 版次:1
  • 开本:26.5cm
  • 字数:(单位:千字)
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本书是集成电路领域本科教育教学改革试点工作(简称"101计划")系列教材之一。 全书共10章,分为两大部分。第一部分共6章,系统阐释半导体器件物理基础,涵盖集成电路中基本器件PN结二极管、双极晶体管、结型场效应晶体管、MOSFET以及适用于纳米工艺节点的FinFET、GAA、CFET等核心器件的理论框架基本结构、工作原理以及电特性,构建完整知识图谱;第二部分共4章,重点解析射频器件、功率器件、光电探测器件以及半导体存储器件等特殊功能器件的结构、原理和前沿技术。 本书不仅是学习半导体技术的重要器件物理基础,更是连接基础科学与工程应用、推动现代信息技术发展的关键载体。主要适用于集成电路、微电子、电子科学与技术等专业与学科的本科生和研究生,也可作为集成电路领域相关专业(如光电子、电子信息等)的教学用书或从事微电子科学、集成电路和电子器件等领域的科研人员和工程技术人员的参考书。
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