本书是面向微电子及相关专业的试验教程, 以微电子器件制造过程为主线, 重点阐述学生在微电子制造技术学习中必须掌握的基础知识和试验方法。第1、2章介绍清洗、氧化、扩散、离子注入、光刻、刻蚀、沉积等相关制造工艺的基础知识和基础试验, 详细阐述各项单步工艺的试验原理、试验设备、试验方法和步骤。第3章介绍微电子器件制造过程中的物理性能测试试验和电学性能测试试验。第4章介绍二极管、肖特基二极管、三极管、CMOS管、集成电阻器等器件的制造以及集成运算放大器的参数测试、逻辑IC功能和参数的测试两个综合实验。

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适读人群 ：微电子相关专业教师、研究生、本科生、专科生
《微电子制造技术实验教程》可作为高等院校微电子及相关专业的实验教材，也可作为教师和一般微电子制造工程技术人员的参考资料。

第1章基础知识
1.1硅片
硅是一种半导体材料，位于元素周期表的Ⅳ族，有无定形体和晶体两种类型。硅作为一种常见元素，通常不以纯硅的形式存在，而是以氧化物和硅酸盐的形式存在于自然界中，例如，沙砾、石英的主要成分是硅的氧化物，岩石的主要成分就是硅酸盐。
在微电子制造中使用的硅是单晶结构，首先是将石英砂还原后制成半导体级高纯度多晶硅，然后再由多晶硅经过晶体生长而形成的。在拉制单晶时，不掺入杂质就得到本征硅锭(纯单晶硅)，掺入硼杂质可得到p型单晶硅锭，掺入磷、砷等杂质可得到n型单晶硅锭。
硅片制备要经过多道工序，将圆柱形的硅锭切割成硅片，其步骤包括机械加工、抛光、质量检查等。硅片制备流程如图1.1所示。