本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上，全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应；介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计；给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程；介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel，深入介绍了XModel的基本功能和界面；介绍了MOSFET器件电学特性测试平台、测试模式和测试流程；分别介绍了MOSFET器件电学特性如C-V、转移特性和输出特性的测量方法；深入介绍了MOSFET模型参数提取的实

本书共7章，主要内容包括绪论、半导体材料属性实验、二极管特性实验、双极型晶体管特性实验、场效应晶体管特性实验、专用半导体特性实验、运算放大器实验。本书涉及的实验分为半导体器件物理理论课程相配套的经典实验、半导体器件物理前沿科技相关的器件实验，以及后续集成电路设计课程衔接的相关实验，形成了基础性实验、设计性实验、综合性实验和创新性实验于一体的完整实验课程体系。激发读者深入研究，使其明白半导体器件物理知识在实际中的应用价值，为半导体领域学习与工作筑牢根基。

第一章介绍了光子计算机发展的历史以及神经网络的概念。第二章重点介绍了物理储层计算的原理，以及一些与光子计算相关的重要概念——品质因数、拓扑网络、线性和非线性记忆容量。第三章介绍了储层集成的最新技术，主要集中在被动架构的实现，以及如何通过光电探测器实现非线性变换的原理。第四章介绍了大规模光子储层的潜力，重点讨论了几种可以产生复杂网络耦合的光学配置。第五章概况介绍了基于延迟系统的储层计算。第六章详细阐述了池田延迟（Ikeda delay dynamics）动力学与光子储存计算机控制和开发的相关性。第

本书力图全面深入地介绍太阳能电池的原理、技术与应用，为读者提供一本兼具理论深度和实践指导的权威之作。本书详细阐释了太阳能与太阳能电池的基本物理原理与特性，系统梳理了各类太阳能电池的发展脉络，深入探讨了太阳能电池的测试原理与分析方法，重点介绍了太阳能电池性能提升的前沿技术，进一步阐述了光伏发电系统的设计与应用。

本书详细地阐述了宽禁带功率半导体器件的发展现状、电热行为模型建模方法与模型参数提取优化算法、开通和关断过电压问题分析和抑制方法、串扰导通问题机理与抑制方法。通过LLC变换器展示了如何借助宽禁带器件电热行为模型完成功率变换器硬件优化设计和控制算法的仿真验证，并分析了平面磁集成矩阵变压器的优化设计方法，建立了LLC变换器小信号模型，提出并验证了基于LLC变换器小信号模型的输出电流纹波抑制方法。附录提供了基于AnsysQ3D的电路板寄生参数提取方法、宽禁带器件电热行为模型建模方法、遗传算法和

《低维半导体材料及其信息能源器件》讲述了低维半导体材料与器件的制备与构筑及其在电子信息和绿色能源领域的新颖应用。全书共7章，涵盖了低维材料的生长和表征、二维半导体材料在触觉传感器的应用、二维过渡金属硫化合物感通融器件、二维过渡金属硫化物的纳米光子学和光电子学、二维半导体材料材料非易失性阻变存储器和射频开关、四/五主族二维单质半导体材料的热电性能与应用以及低维材料新型发电机器件。
本书可作为高等学校材料科学与工程、电子科学与工程、集成电路设计生物医学工程以及能源环境等等专业学生的教材，也可供

本书是作者从事电子制造40年来有关单板互连可靠性方面的经验总结,讨论了单板常见的失效模式、典型失效场景以及如何设计与制造高可靠性产品的广泛问题，并通过大量篇幅重点讨论了焊点的断裂失效现象及裂纹特征。 全书内容共4个部分，第一部分为焊点失效机理与裂纹特征，详细介绍焊点的失效模式、失效机理、裂纹特征及失效分析方法;第二部分为高可靠性产品的焊点设计，包括封装选型、PCBA的互连结构设计、组装热设计及焊点的寿命评估技术;第三部分为环境腐蚀与三防处理，重点介绍腐蚀失效与锡须问题，以及与之相关的

《LED封装与检测》从LED的灯珠结构入手，详细论述了LED封装工艺与生产管控中的必要工艺和相关基础知识，之后又针对LED封装前工序和封装后工序进行了详细明，尤其是对其中的扩晶工艺、固晶制程、配胶等用实操图片加文字讲解的形式进行了论述，接着对LED产品控制的重要流程———参数测试进行了特别说明。本书最后安排了实训项目，供广大读者在进行产教融合培训时参考使用。本书可供LED封装工艺工程师、技术研发人员参考使用，也可作为相关院校专业师生学习和技能培训的参考用书。

《半导体结构》主要内容总体可被划分为两个部分，分别是晶体的结构理论和晶体的缺陷理论。第一部分主要围绕理想晶体（完美晶体）的主要性质与基本概念撰写，加深读者对晶体结构和关键性质的理解。第一部分拟通过五个章节分别介绍晶体的基本概念、晶体结构、对称性、晶体结构描述方法及典型半导体晶体的重要物理、化学特性和这些特性与晶体微观、宏观性质间的联系。第二部分则主要围绕实际晶体中各种杂志与缺陷态对晶体性能的影响撰写。第二部分拟分为四章撰写，第六至八章分别重点介绍晶体中三个维度的缺陷类型，包括点缺陷、线缺陷和面缺

本书聚焦硅基集成电路主要器件，即 PN 结、双极型晶体管和场效应晶体管的基本结构、关键参数、直流特性、频率特性、开关特性，侧重对基本原理的讨论，借助图表对各种效应进行图形化直观展示，并详细推导了各种公式。此外，还对小尺寸场效应晶体管的典型短沟道效应及其实际业界对策进行了较为详细的阐述。
本书适合集成电路或微电子相关专业本科生在学习完半导体物理知识后，进一步学习半导体器件工作原理之用；也可作为集成电路相关专业研究生的研究工作参考书，还可作为集成电路代工厂或电路设计从业人员的专业参考