《薄膜晶体管材料与技术》是战略性新兴领域“十四五”高等教育教材体系——“先进功能材料与技术”系列教材之一。本书归纳薄膜晶体管（TFT）材料、器件及制备技术，总结和梳理TFT相关的基础理论知识，包括材料物理与化学、器件物理、工艺原理以及实际应用设计原理，进一步提出新见解，为TFT技术的发展提供理论指导和方向参考。本书以TFT半导体材料作为主线，无机和有机材料相结合、材料与器件相结合、理论和实际应用相结合、经典理论与最新前沿理论相结合，涵盖了TFT的相关理论、研究方向和最新进展。
本书适合作为

《低维半导体材料及其信息能源器件》讲述了低维半导体材料与器件的制备与构筑及其在电子信息和绿色能源领域的新颖应用。全书共7章，涵盖了低维材料的生长和表征、二维半导体材料在触觉传感器的应用、二维过渡金属硫化合物感通融器件、二维过渡金属硫化物的纳米光子学和光电子学、二维半导体材料材料非易失性阻变存储器和射频开关、四/五主族二维单质半导体材料的热电性能与应用以及低维材料新型发电机器件。
本书可作为高等学校材料科学与工程、电子科学与工程、集成电路设计生物医学工程以及能源环境等等专业学生的教材，也可供

《半导体结构》主要内容总体可被划分为两个部分，分别是晶体的结构理论和晶体的缺陷理论。第一部分主要围绕理想晶体（完美晶体）的主要性质与基本概念撰写，加深读者对晶体结构和关键性质的理解。第一部分拟通过五个章节分别介绍晶体的基本概念、晶体结构、对称性、晶体结构描述方法及典型半导体晶体的重要物理、化学特性和这些特性与晶体微观、宏观性质间的联系。第二部分则主要围绕实际晶体中各种杂志与缺陷态对晶体性能的影响撰写。第二部分拟分为四章撰写，第六至八章分别重点介绍晶体中三个维度的缺陷类型，包括点缺陷、线缺陷和面缺

本书聚焦硅基集成电路主要器件，即 PN 结、双极型晶体管和场效应晶体管的基本结构、关键参数、直流特性、频率特性、开关特性，侧重对基本原理的讨论，借助图表对各种效应进行图形化直观展示，并详细推导了各种公式。此外，还对小尺寸场效应晶体管的典型短沟道效应及其实际业界对策进行了较为详细的阐述。
本书适合集成电路或微电子相关专业本科生在学习完半导体物理知识后，进一步学习半导体器件工作原理之用；也可作为集成电路相关专业研究生的研究工作参考书，还可作为集成电路代工厂或电路设计从业人员的专业参考

半导体材料是材料、信息、新能源的交叉学科，是信息、新能源（半导体照明、太阳能光伏）等高科技产业的材料基础。 本书共15章，详细介绍了半导体材料的基本概念、基本物理原理、制备原理和制备技术，重点介绍了半导体硅材料（包括高纯多晶硅、区熔单晶硅、直拉单晶硅和硅薄膜半导体材料）的制备、结构和性质，阐述了化合物半导体（包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料和氧化物半导体材料）的制备技术和基本性质，还阐述了有机半导体材料、半导体量子点（量子阱）等新型半导体材料的制备和性质。本书配套MOOC

本书主要描述常用半导体器件的基本结构、工作原理以及电特性。内容包括：半导体物理基础、PN结、PN结二极管应用、双极型晶体管、结型场效应晶体管、MOSFET以及新型场效应晶体管，如FinFET、SOI FET、纳米线围栅(GAA)FET等，共计七章。与同类教材比较，本教材增加了pn结二极管应用以及新型场效应晶体管的介绍，反映了本领域的*新研究进展，丰富了BJT和MOSFET的相关内容，对重要知识点有更详尽的解释说明，便于学生自学，也可供本领域科研人员和工程技术人员参考。

本书旨在向材料及微电子集成相关专业的高年级本科生、研究生及从事材料与器件集成行业的科研人员介绍栅介质材料制备与相关器件集成的专业技术。本书共10章，包括了集成电路的发展趋势及后摩尔时代的器件挑战，栅介质材料的基本概念及物理知识储备，栅介质材料的基本制备技术及表征方法； 着重介绍了栅介质材料在不同器件中的集成应用，如高κ与金属栅、场效应晶体管器件、薄膜晶体管器件、存储器件及神经形态器件等。本书包含栅介质材料的基本制备技术，同时突出了栅介质材料在器件应用中的先进性和前沿性，反映了后摩尔时代器件集成的

本书以著名光子学家郭光灿院士指出的“书乃明理于本始，惠泽于世人……探微索隐，刻意研精，识其真要，奉献读者”为旨要，以12章成体，以激光单元技术和应用技术为用。首先对各种单元技术结构特点、运转机理等基础知识进行介绍；然后分别介绍激光调制、偏转、调Q、超短脉冲、放大、横模选取、纵模选取、稳频、非线性光学、激光微束等技术，其各自独立解剖展示技术特性、运转机理等内容；最后，介绍激光在各个领域中的应用。本书着重论述与分析物理基本原理和概念，通过大量实例来深入浅出地剖析激光技术的应用，并展示激光技术的**成

本书内容包括4部分。第1部分介绍功率半导体器件的分类及发展历程，主要包括功率半导体器件这个“大家族”的主要成员及各自的特点和发展历程。第2部分介绍功率二极管，在传统的功率二极管（肖特基二极管和PiN二极管）的基础上，增加了JBS二极管和MPS二极管等新型单、双极型二极管的内容。第3部分介绍功率开关器件，主要分为传统开关器件和现代开关器件，传统开关器件以晶闸管为主，在此基础上，介绍以GTO晶闸管为主的派生器件；现代功率开关器件以功率MOSFET和IGBT为主。第4部分为功率半导体器件应用综述，以脉

本书以数据分析为基础，探讨了半导体材料及器件的特征参数分析和检测的方法和技术。全书共七章，包括数据的统计分析、半导体物理基础、半导体材料的接触及能带结构测量、半导体缺陷及测量、载流子迁移率的测量、载流子动力学和太阳能电池的基本原理及表征，对相关材料专业学生和科研工作人员具有很好的参考价值和意义。