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《半导体结构》主要内容总体可被划分为两个部分，分别是晶体的结构理论和晶体的缺陷理论。第一部分主要围绕理想晶体（完美晶体）的主要性质与基本概念撰写，加深读者对晶体结构和关键性质的理解。第一部分拟通过五个章节分别介绍晶体的基本概念、晶体结构、对称性、晶体结构描述方法及典型半导体晶体的重要物理、化学特性和这些特性与晶体微观、宏观性质间的联系。第二部分则主要围绕实际晶体中各种杂志与缺陷态对晶体性能的影响撰写。第二部分拟分为四章撰写，第六至八章分别重点介绍晶体中三个维度的缺陷类型，包括点缺陷、线缺陷和面缺